| 发明名称 | 场效应晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明得到抑制栅极电容的增大并可显著改善耐湿性的场效应晶体管及其制造方法。在半导体层(1)上形成有T型栅极电极(2)的场效应晶体管，将形成有T型栅极电极(2)的区域设为晶体管有源区域时，在整个该晶体管有源区域中，具备设置在T型栅极电极(2)上的第一高耐湿性保护膜(5)，该膜包含耐湿性和抗蚀刻性高的绝缘膜或有机膜，在包括T型栅极电极(2)的伞下在内的T型栅极电极(2)附近，在半导体层(1)与第一高耐湿性保护膜(5)之间形成空隙(6)，用第二高耐湿性保护膜(7)来堵住空隙(6)与外界连接的端面(6a)。 | ||
| 申请公布号 | CN101826553B | 申请公布日期 | 2012.04.25 |
| 申请号 | CN200910172064.9 | 申请日期 | 2009.08.28 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 天清宗山 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L27/085(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 何欣亭;徐予红 |
| 主权项 | 一种场效应晶体管，在半导体层上形成有屋檐型栅极电极，其特征在于：将形成有所述屋檐型栅极电极的区域设为晶体管有源区域时，在整个该晶体管有源区域中，具备设置在所述屋檐型栅极电极上的第一保护膜，该第一保护膜包含耐湿性和抗蚀刻性高的绝缘膜或有机膜，在包括所述屋檐型栅极电极的伞下在内的所述屋檐型栅极电极附近，在所述半导体层与所述第一保护膜之间形成有空隙，所述空隙在所述晶体管有源区域端上被第二保护膜包围，所述第二保护膜由高耐湿性膜构成，是覆盖所述空隙的端面而用于防止湿气的侵入的保护膜，所述第二保护膜形成为仅存在于所述空隙的端面部分，或者形成为覆盖包括所述空隙的端面在内的整个所述晶体管有源区域。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||