快闪存储器单元以及快闪存储器单元的操作方法

摘要

一种快闪存储器单元及快闪存储器单元的操作方法，该快闪存储器单元包含设置于一半导体基板中的一第一电荷攫取区及一第二电荷攫取区、设置于该第一电荷攫取区的一第一侧的该半导体基板中的一第一掺杂区、设置于该第一电荷攫取区的一第二侧的该半导体基板中的一第二掺杂区、隔离该半导体基板与该第一电荷攫取区及该第二电荷攫取区的一第一介电层、设置于该第一电荷攫取区上方的一第一导体、设置于该第二电荷攫取区上方的一第二导体、隔离该第一导体与该第一电荷攫取区且隔离该第二导体与该第二电荷攫取区的一第二介电层，其中该第二电荷攫取区被设置以影响一载流子沟道的导通性，且该载流子沟道设置于该第一电荷攫取区下方的该半导体基板中。

主权项

一快闪存储器单元，包含：一第一电荷攫取区及一第二电荷攫取区，设置于一半导体基板中；一第一掺杂区，设置于该第一电荷攫取区的一第一侧的该半导体基板中；一第二掺杂区，设置于该第一电荷攫取区的一第二侧的该半导体基板中；一第一介电层，隔离该半导体基板与该第一电荷攫取区及该第二电荷攫取区；一第一导体，设置于该第一电荷攫取区上方；一第二导体，设置于该第二电荷攫取区上方；一第二介电层，隔离该第一导体与该第一电荷攫取区，且隔离该第二导体与该第二电荷攫取区；其特征在于该第二电荷攫取区被设置以影响一载流子沟道的导通性，且该载流子沟道设置于该第一电荷攫取区下方的该半导体基板中，该第一电荷攫取区及该第二电荷攫取区相对于该第二掺杂区呈镜像对称，使得该第一电荷攫取区及该第二电荷攫取区能够通过相同的工艺予以制造，该第一导体及该第二导体相对于该第二掺杂区呈镜像对称，使得该第一导体及该第二导体能够通过相同的工艺予以制造。