具有改善的开态电阻和击穿电压性能的半导体结构

摘要

在一个实施方案中，横向FET单元被形成在半导体材料本体中。此横向FET单元包括形成在漏接触与本体区之间的漂移区中的超结结构。此超结结构包括多个分隔开的填充的沟槽，这些填充的沟槽部分地界定具有相反或交替的导电类型的多重条形掺杂区。

主权项

一种横向IGFET器件，包括：半导体衬底；形成在半导体衬底的一部分中的第一导电类型的漂移区，其中所述半导体衬底和漂移区物理接触并且在它们之间没有居间绝缘层；形成在邻近漂移区的半导体衬底中的第二导电类型的本体区；形成在本体区中的第一导电类型的源区；形成在漂移区中的用于提供横向IGFET器件配置的第一导电类型的漏接触区；邻近本体区形成的栅结构；以及形成在漂移区中并且与所述本体区横向分隔开的超结结构，使得所述漂移区的一部分位于所述超结结构和所述本体区之间，此超结结构包括一对分隔开的填充的条形沟槽、该对分隔开的填充的条形沟槽之间的第一导电类型的第一条形掺杂区和第二导电类型的第二条形掺杂区，其中，第一条形掺杂区的掺杂浓度高于漂移区的掺杂浓度，该对分隔开的填充的条形沟槽终止于所述漂移区中，从而漂移区的另一部分位于该衬底和该对分隔开的填充的条形沟槽的下表面之间，且其中，第一和第二条形掺杂区与该对分隔开的填充的条形沟槽的下表面完全不交叠。