| 发明名称 | 使用非晶氧化物半导体膜的薄膜晶体管的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种薄膜晶体管的制造方法，所述薄膜晶体管包含有源层，所述有源层包含非晶氧化物半导体膜，所述非晶氧化物半导体膜包括In和Zn中的至少一种元素，所述制造方法包含如下步骤序列：第一步骤，形成所述非晶氧化物半导体膜；第二步骤，在氧化气氛中对所述非晶氧化物半导体膜进行退火；以及第三步骤，在所述非晶氧化物半导体膜上形成绝缘氧化物层。其特征在于：在氧化气氛中使用溅射来形成所述绝缘氧化物层。 | ||
| 申请公布号 | CN101506986B | 申请公布日期 | 2012.04.25 |
| 申请号 | CN200780031168.7 | 申请日期 | 2007.07.26 |
| 申请人 | 佳能株式会社 | 发明人 | 板垣奈穗;田透;加地信幸;林享;佐野政史 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 康建忠 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管的制造方法，所述薄膜晶体管包含有源层，所述有源层包含非晶氧化物半导体膜，所述非晶氧化物半导体膜包括In和Zn中的至少一种元素，所述制造方法包含如下步骤序列：第一步骤，形成所述非晶氧化物半导体膜；第二步骤，在氧化气氛中对所述非晶氧化物半导体膜进行退火；以及第三步骤，在所述非晶氧化物半导体膜上形成绝缘氧化物层，其特征在于：在氧化气氛中使用溅射来形成所述绝缘氧化物层。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||