发明名称 |
用于减小性能下降的CPP磁头的传感器形状及刻蚀工艺 |
摘要 |
本申请涉及用于减小性能下降的CPP磁头的传感器形状及刻蚀工艺。防止性能被刻蚀传感器膜时发生的再沉积物或损坏降低,磁道宽度被减窄以及性能被稳定。当假定空气支承面上的传感器膜的厚度是T,以及被插入构成传感器膜的自由层和固定层之间的中间层的端部和传感器膜最低部分的端部之间的距离是X时,那么满足1.2×T≤X≤2.5×T的关系,以及从自由层端部向磁道中心部分中不存在在磁道-宽度方向上通过绝缘体与两侧接触的一对磁膜的端部。在刻蚀束的入射角被改变的同时,传感器膜被刻蚀,以及当假定传感器膜表面的法线方向是0的入射角,那么该刻蚀在刻蚀束的入射角随时间变小的条件下进行。 |
申请公布号 |
CN101241705B |
申请公布日期 |
2012.04.25 |
申请号 |
CN200810008606.4 |
申请日期 |
2008.01.29 |
申请人 |
日立环球储存科技荷兰有限公司 |
发明人 |
芳田伸雄;渡边克朗;片田裕之;冈本悟;冈崎幸司;小岛修一 |
分类号 |
G11B5/31(2006.01)I;G11B5/39(2006.01)I;H01L43/08(2006.01)I |
主分类号 |
G11B5/31(2006.01)I |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 |
代理人 |
李涛;钟强 |
主权项 |
一种薄膜磁头,包括:传感器膜,具有中间层及自由层和固定层,在所述自由层和固定层之间插入所述中间层;一对上屏蔽和下屏蔽,允许电流在所述传感器膜的厚度方向上流动;以及一对磁膜,在磁道‑宽度方向上通过绝缘体与所述传感器膜的两侧接触,其中当假定在空气支承面上的所述传感器膜的厚度是T,以及在所述磁道‑宽度方向上的、在所述中间层的端部和所述传感器膜的最低部分的端部之间的距离是X时,满足1.2×T≤X的关系,以及其中在横跨磁道推移的方向上,在所述自由层的端部的外侧形成所述磁膜对,其中所述传感器膜具有裙裾式空气支承面结构,在所述磁道‑宽度方向上,所述中间层上的所述传感器膜具有基本上恒定的尺寸,以及所述中间层下面的所述传感器膜的侧表面具有平滑曲线,以逐渐增加所述宽度。 |
地址 |
荷兰阿姆斯特丹 |