| 发明名称 | 异质结III-V光伏电池制造 | ||
| 摘要 | 本公开涉及一种用于形成异质结III-V光伏(PV)电池的方法，所述方法包括：执行基础层从III-V衬底的晶片的层转移，所述基础层的厚度小于约20微米；在所述基础层上形成本征层；在所述本征层上形成非晶硅层；以及在所述非晶硅层上形成透明导电氧化物层。本公开还涉及一种异质结III-V光伏(PV)电池，所述PV电池包括：包括III-V衬底的基础层，所述基础层的厚度小于约20微米；位于所述基础层上的本征层；位于所述本征层上的非晶硅层；以及位于所述非晶硅层上的透明导电氧化物层。 | ||
| 申请公布号 | CN102428577A | 申请公布日期 | 2012.04.25 |
| 申请号 | CN201080021165.7 | 申请日期 | 2010.06.02 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | S·W·比德尔;N·索萨·科尔茨;K·E·福格尔;D·萨达纳;G·沙希迪;D·沙尔耶迪 |
| 分类号 | H01L31/20(2006.01)I;H01L31/0725(2012.01)I;H01L31/074(2012.01)I;H01L31/075(2012.01)I;H01L31/076(2012.01)I | 主分类号 | H01L31/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 鲍进 |
| 主权项 | 一种用于形成异质结III‑V光伏(PV)电池的方法，所述方法包括：执行基础层从III‑V衬底的晶片的层转移，所述基础层的厚度小于约20微米；在所述基础层上形成本征层；在所述本征层上形成非晶硅层；以及在所述非晶硅层上形成透明导电氧化物层。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||