发明名称 |
低能氮离子束轰击的多壁碳纳米管及其制备方法与应用 |
摘要 |
本发明涉及低能氮离子束轰击的多壁碳纳米管,它是由在预先喷涂的多壁碳纳米管基片上轰击低能氮离子束组成;其中轰击氮离子的束流为5-25mA,本底真空1.9×10-4-2.0×10-4Pa;轰击能量为200eV;所述低能氮离子的原子百分数为7.8%-9.3%。本发明进一步公开了低能氮离子束轰击的多壁碳纳米管在提高多壁碳纳米管材料亲水性方面的应用,以及作为具有细胞相容性的组织支架材料以及与血液相接触的材料方面的应用。 |
申请公布号 |
CN102424378A |
申请公布日期 |
2012.04.25 |
申请号 |
CN201110276298.5 |
申请日期 |
2011.09.19 |
申请人 |
天津师范大学 |
发明人 |
李德军;赵梦鲤;刘孟寅;董磊;岳玉琛 |
分类号 |
C01B31/02(2006.01)I;A61L27/02(2006.01)I;A61L33/02(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I |
主分类号 |
C01B31/02(2006.01)I |
代理机构 |
天津市杰盈专利代理有限公司 12207 |
代理人 |
朱红星 |
主权项 |
低能氮离子束轰击的有多壁碳纳米管,其特征在于它是由在预先喷涂的多壁碳纳米管基片上轰击低能氮离子束组成;其中轰击氮离子的束流为5‑25 mA,本底真空1.9×10‑4‑2.0×10‑4 Pa;轰击能量为200 eV;所述低能氮离子的原子百分数为7.8%‑9.3%。 |
地址 |
300387 天津市西青区宾水西道393号 |