发明名称 | 固态成像元件及其驱动方法 | ||
摘要 | 本发明披露了一种固态成像元件及其驱动方法,该固态成像元件包括(A)形成在半导体层中的光接收/电荷存储区,该光接收/电荷存储区包括一层堆叠在另一层的顶部上的M层光接收/电荷存储层,其中,M≥2;(B)形成在半导体层中的电荷输出区;(C)导通/非导通控制区,包括位于光接收/电荷存储区和电荷输出区之间的部分半导体层;(D)导通/非导通控制电极,用于控制导通/非导通控制区的导通或者非导通状态,其中,第m电位控制电极设置在第m和第(m+1)光接收/电荷存储层之间以控制光接收/电荷存储层的电位,其中,1≤m≤(M-1)。 | ||
申请公布号 | CN101814518B | 申请公布日期 | 2012.04.25 |
申请号 | CN201010120111.8 | 申请日期 | 2010.02.12 |
申请人 | 索尼公司 | 发明人 | 竹下光明;久保寺隆;中村明弘 |
分类号 | H01L27/146(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 余刚;吴孟秋 |
主权项 | 一种固态成像元件,包括:(A)形成在半导体层中的光接收/电荷存储区,所述光接收/电荷存储区包括一层堆叠在另一层顶部上的M层光接收/电荷存储层,其中,M≥2;(B)形成在所述半导体层中的电荷输出区;(C)导通/非导通控制区,包括位于所述光接收/电荷存储区和所述电荷输出区之间的部分所述半导体层;以及(D)导通/非导通控制电极,用于控制所述导通/非导通控制区的导通或非导通状态,其中,第m电位控制电极设置在第m和第(m+1)光接收/电荷存储层之间,以控制所述光接收/电荷存储层的电位,其中1≤m≤(M‑1),并且中间层夹置在第m和第(m+1)光接收/电荷存储层之间,并且至少部分地被所述电位控制电极包围。 | ||
地址 | 日本东京 |