发明名称 固态成像元件及其驱动方法
摘要 本发明披露了一种固态成像元件及其驱动方法,该固态成像元件包括(A)形成在半导体层中的光接收/电荷存储区,该光接收/电荷存储区包括一层堆叠在另一层的顶部上的M层光接收/电荷存储层,其中,M≥2;(B)形成在半导体层中的电荷输出区;(C)导通/非导通控制区,包括位于光接收/电荷存储区和电荷输出区之间的部分半导体层;(D)导通/非导通控制电极,用于控制导通/非导通控制区的导通或者非导通状态,其中,第m电位控制电极设置在第m和第(m+1)光接收/电荷存储层之间以控制光接收/电荷存储层的电位,其中,1≤m≤(M-1)。
申请公布号 CN101814518B 申请公布日期 2012.04.25
申请号 CN201010120111.8 申请日期 2010.02.12
申请人 索尼公司 发明人 竹下光明;久保寺隆;中村明弘
分类号 H01L27/146(2006.01)I 主分类号 H01L27/146(2006.01)I
代理机构 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人 余刚;吴孟秋
主权项 一种固态成像元件,包括:(A)形成在半导体层中的光接收/电荷存储区,所述光接收/电荷存储区包括一层堆叠在另一层顶部上的M层光接收/电荷存储层,其中,M≥2;(B)形成在所述半导体层中的电荷输出区;(C)导通/非导通控制区,包括位于所述光接收/电荷存储区和所述电荷输出区之间的部分所述半导体层;以及(D)导通/非导通控制电极,用于控制所述导通/非导通控制区的导通或非导通状态,其中,第m电位控制电极设置在第m和第(m+1)光接收/电荷存储层之间,以控制所述光接收/电荷存储层的电位,其中1≤m≤(M‑1),并且中间层夹置在第m和第(m+1)光接收/电荷存储层之间,并且至少部分地被所述电位控制电极包围。
地址 日本东京
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