| 发明名称 | 高取向性硅薄膜形成方法、三维半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了高取向性硅薄膜和三维半导体器件的形成方法以及三维半导体器件。形成高取向性硅薄膜的方法包含：在衬底上形成沿预定方向取向的高取向性AlN薄膜，通过氧化该高取向性AlN薄膜而在AlN薄膜表面上形成高取向性Al2O3层，以及在该高取向性Al2O3层上生长硅薄膜。 | ||
| 申请公布号 | CN101064258B | 申请公布日期 | 2012.04.25 |
| 申请号 | CN200610126325.X | 申请日期 | 2006.08.30 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 鲜于文旭;朴永洙;李准浩;林赫;赵世泳;殷华湘 |
| 分类号 | H01L21/36(2006.01)I;C30B23/02(2006.01)I;C30B25/02(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/36(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 一种形成高取向性硅薄膜的方法，包含：在衬底上形成沿特定方向取向的高取向性AlN薄膜；通过氧化所述高取向性AlN薄膜而在所述AlN薄膜表面上形成高取向性Al2O3层；以及在所述高取向性Al2O3层上生长高取向性硅薄膜。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||