场效应晶体管及其制造方法

摘要

本发明提供一种场效应晶体管及其制造方法。该场效应晶体管是具有低接触电阻且能够避免导通电阻的增大、维持高沟道迁移率的实现常闭动作的场效应晶体管。该场效应晶体管由于使AlGaN势垒层(6)的薄层部(6a)形成在第二GaN层(4)的V缺陷(13)以及与V缺陷(13)相连接的第三GaN层(5)的非生长区域(G1)上，因此无需进行蚀刻也能够使薄层部(6a)的厚度比平坦部(6b)的厚度薄。因此，不会由于蚀刻损伤使沟道迁移率下降，能够避免使导通电阻增大。

主权项

一种常闭型场效应晶体管，其特征在于，具有：基板，其具有在表面的预先规定的部位形成的表面加工部；缓冲层，其形成在所述基板上；第一氮化物类III‑V族化合物半导体层，其形成在所述缓冲层上，并且具有在对应于所述表面加工部的部位生成的位错，但不具有以所述位错为核的V形的非生长区域即V缺陷；第二氮化物类III‑V族化合物半导体层，其形成在所述第一氮化物类III‑V族化合物半导体层上，并且具有以所述位错为核的V形的非生长区域即V缺陷；第三氮化物类III‑V族化合物半导体层，其以不填埋所述V缺陷的方式形成在所述第二氮化物类III‑V族化合物半导体层上，并且具有与所述V缺陷相连接的非生长区域，但不具有与所述V缺陷不同的新的V缺陷；第四氮化物类III‑V族化合物半导体层，其形成在所述第三氮化物类III‑V族化合物半导体层上，具有薄层部和平坦部，该薄层部沿着所述V缺陷及与所述V缺陷相连接的非生长区域形成，该平坦部与所述薄层部相连接并在所述V缺陷之外形成，厚度比所述薄层部厚；由所述第一至第三氮化物类III‑V族化合物半导体层构成沟道层，由所述第四氮化物类III‑V族化合物半导体层构成势垒层，由所述第三氮化物类III‑V族化合物半导体层和所述第四氮化物类III‑V族化合物半导体层构成异质结，在所述第四氮化物类III‑V族化合物半导体层的所述平坦部上形成有源极电极和漏极电极，在所述第四氮化物类III‑V族化合物半导体层的所述薄层部上形成有栅极电极。