| 发明名称 | 一种改善PMOS器件载流子迁移率的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种改善PMOS器件载流子迁移率的方法。本发明公开了一种改善PMOS器件载流子迁移率的方法，通过在栅氧制备过程中，根据最后所需栅氧电性厚度目标，通过优化硅基氧化物的氧化时间来控制氧化层厚度，再通过调节去耦等离子氮化工艺的时间或功率，以及精确优化快速氮化退火工艺的时间，使得在基底氧化物层中的氮远离其与硅衬底接触面，以提高空穴的迁移率，从而改善PMOS晶体管的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN102427043A | 申请公布日期 | 2012.04.25 |
| 申请号 | CN201110222150.3 | 申请日期 | 2011.08.04 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 谢欣云;陈玉文 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人 | 王敏杰 |
| 主权项 | 一种改善PMOS器件载流子迁移率的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：在一硅衬底上生长基底氧化物层后，采用去耦等离子氮化工艺，氮化该基底氧化物层；步骤S2：采用快速氮化退火工艺修复去耦等离子氮化工艺时的等离子损伤及氮气泡沫调剖工艺，淀积多晶硅栅；其中, 修复后的氧化物层中的氮远离其与硅衬底的接触面上。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 | ||