| 发明名称 | 移位寄存器 | ||
| 摘要 | 本发明提供移位寄存器。将包括自举电路的单位电路(10)多级连接，构成移位寄存器。在单位电路(10)中，晶体管(11)为导通状态、且时钟信号(CK)为高电平的期间，为时钟通过期间。在一个导通端子与晶体管(11)的栅极连接的晶体管中，使在时钟通过期间栅极被提供低电平电位而成为截止状态、另一个导通端子被施加低电平电位的晶体管(12)、(14)的沟道长度比晶体管(11)的沟道长度长。由此，能够削减时钟通过期间的泄漏电流，抑制晶体管(11)的栅极电位的变动，防止输出信号变钝。 | ||
| 申请公布号 | CN102428521A | 申请公布日期 | 2012.04.25 |
| 申请号 | CN200980159346.3 | 申请日期 | 2009.12.25 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 菊池哲郎;田中信也;山崎周郎;嶋田纯也 |
| 分类号 | G11C19/28(2006.01)I;G09G3/20(2006.01)I;G09G3/36(2006.01)I;G11C19/00(2006.01)I | 主分类号 | G11C19/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种移位寄存器，其特征在于：其是将单位电路多级连接而构成的移位寄存器，所述单位电路包括：输出晶体管，其设置在时钟端子与输出端子之间，根据栅极电位来切换是否使时钟信号通过；和一个导通端子与所述输出晶体管的栅极连接的一个以上的控制晶体管，其中在所述输出晶体管为导通状态、且所述时钟信号为高电平的时钟通过期间，所述输出晶体管的栅极电位比所述时钟信号的高电平电位高，在所述控制晶体管中包括与所述输出晶体管相比沟道长度更长的晶体管。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||