发明名称 定向凝固法生长铸锭多晶硅的方法及其热场
摘要 本发明涉及一种定向凝固法生长铸锭多晶硅的方法及其热场,包括熔化、长晶、退火和冷却过程;铸锭多晶热场中的保温腔是由顶板、侧壁、和底板三部分组成的;其中顶板位置固定,侧壁和底板可上下移动,根据长晶过程的不同阶段的需要,控制侧壁和底板之间的距离。本发明的目的首先在于减少化料过程的电耗,达到节电的效果,其次在于通过分别控制热腔底板和热腔侧壁的移动距离,在多晶硅晶锭生长过程中,控制底部散热方向,间接控制晶体的生长界面,平整的生长界面有助于得到高质量的晶体,有利于提高光伏电池的装换效率。
申请公布号 CN102425006A 申请公布日期 2012.04.25
申请号 CN201110457748.0 申请日期 2011.12.30
申请人 常州天合光能有限公司 发明人 张志强;黄振飞
分类号 C30B28/06(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 主分类号 C30B28/06(2006.01)I
代理机构 常州市维益专利事务所 32211 代理人 路接洲
主权项 一种定向凝固法生长铸锭多晶硅的方法,其特征在于包括以下步骤:1)熔化前:保温腔底板与保温腔侧壁同时上移,两者之间保持闭合状态,保温腔底板与石墨助凝块之间的距离为0~200mm;2)高温熔化;3)长晶:保温腔底板和保温腔侧壁先同时下移5~500mm,然后保温腔侧壁逐渐上移,保温腔底板逐渐下移,使两者分离形成缝隙;4)冷却:石墨助凝块与保温腔侧壁相对保持静止,保温腔底板随晶体温度的下降而逐渐向下移动。
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