发明名称 |
定向凝固法生长铸锭多晶硅的方法及其热场 |
摘要 |
本发明涉及一种定向凝固法生长铸锭多晶硅的方法及其热场,包括熔化、长晶、退火和冷却过程;铸锭多晶热场中的保温腔是由顶板、侧壁、和底板三部分组成的;其中顶板位置固定,侧壁和底板可上下移动,根据长晶过程的不同阶段的需要,控制侧壁和底板之间的距离。本发明的目的首先在于减少化料过程的电耗,达到节电的效果,其次在于通过分别控制热腔底板和热腔侧壁的移动距离,在多晶硅晶锭生长过程中,控制底部散热方向,间接控制晶体的生长界面,平整的生长界面有助于得到高质量的晶体,有利于提高光伏电池的装换效率。 |
申请公布号 |
CN102425006A |
申请公布日期 |
2012.04.25 |
申请号 |
CN201110457748.0 |
申请日期 |
2011.12.30 |
申请人 |
常州天合光能有限公司 |
发明人 |
张志强;黄振飞 |
分类号 |
C30B28/06(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I |
主分类号 |
C30B28/06(2006.01)I |
代理机构 |
常州市维益专利事务所 32211 |
代理人 |
路接洲 |
主权项 |
一种定向凝固法生长铸锭多晶硅的方法,其特征在于包括以下步骤:1)熔化前:保温腔底板与保温腔侧壁同时上移,两者之间保持闭合状态,保温腔底板与石墨助凝块之间的距离为0~200mm;2)高温熔化;3)长晶:保温腔底板和保温腔侧壁先同时下移5~500mm,然后保温腔侧壁逐渐上移,保温腔底板逐渐下移,使两者分离形成缝隙;4)冷却:石墨助凝块与保温腔侧壁相对保持静止,保温腔底板随晶体温度的下降而逐渐向下移动。 |
地址 |
213031 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号 |