发明名称 A METHOD FOR FORMING A DUAL DAMASCENE PATTERN IN SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要
申请公布号 KR101138082(B1) 申请公布日期 2012.04.24
申请号 KR20040043600 申请日期 2004.06.14
申请人 发明人
分类号 H01L21/28 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人
主权项
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