贴片二极管的改良结构

摘要

本实用新型揭示了一种贴片二极管的改良结构，其为由两个晶片相对叠合而成，且每个晶片各具有支撑自身的铜质框架，其中该铜质框架在晶片叠合的端部具有沉降区，沉降区背向沉降方向设有凸台，并且铜质框架在沉降区弯折处设有穿孔。其特别改良之处为将该凸台的厚度薄至0.06mm，且穿孔与沉降区底面不相干涉。实施本实用新型的技术方案并将其投入生产工艺后，两晶粒片焊接后锡珠的不良比例由改善前的10%下降至0.5%，而经产品成型后料片露铜不良的状况也由改善前的1.3%降低至0，显然大幅提升了成品良率，并且降低了用户的使用风险。

主权项

贴片二极管的改良结构，所述贴片二极管为由两个晶片相对叠合而成，且每个晶片各具有支撑自身的铜质框架，所述铜质框架在晶片叠合的端部具有沉降区，所述沉降区背向沉降方向设有凸台，并且铜质框架在沉降区弯折处设有穿孔，其特征在于：所述凸台的厚度薄至0.06mm，且所述穿孔与沉降区底面不相干涉。