| 发明名称 |
MEMRISTIVE JUNCTION WITH INTRINSIC RECTIFIER |
| 摘要 |
<p>멤리스티브 접합(400)은 제 1 전극(102) 및 제 2 전극(104)을 포함할 수 있고, 멤리스티브 영역(106)이 이들 사이에 위치된다. 멤리스티브 영역은 이 전극 사이에 인가된 스위칭 전압(118)을 통해 두 가지 활성화 상태 사이를 스위칭하도록 구성된다. 활성화 상태는 제 1 전극과 제 2 전극 사이에서 판독 전압의 인가에 의해 확인될 수 있다. 접합은 제 1 전극과 멤리스티브 영역 사이 인터페이스(420)에 위치된 정류기 영역을 더 포함하며, 스위칭 전압에서 실질적으로 전도성이고 판독 전압에서 실질적으로 저항성인 온도 반응성 전이 재료의 레이어(402)를 포함한다.</p> |
| 申请公布号 |
KR20120037984(A) |
申请公布日期 |
2012.04.20 |
| 申请号 |
KR20127003636 |
申请日期 |
2009.07.10 |
| 申请人 |
HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P. |
发明人 |
YANG JIANHUA;STRACHAN JOHN PAUL;PICKETT MATTHEW D. |
| 分类号 |
H01L29/40;H01L27/115 |
主分类号 |
H01L29/40 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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