发明名称 |
METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR LAYER SEQUENCE, RADIATION-EMITTING SEMICONDUCTOR CHIP, AN OPTOELECTRONIC COMPONENT |
摘要 |
<p>Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterschichtenfolge auf Basis von Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial und mit einer mikrostrukturierten Außenfläche sowie ein damit hergestellter Halbleiterchip und ein optoelektronisches Bauteil mit einem derartigen Halbleiterchip angegeben. Das Verfahren umfasst folgende Schritte: A) Aufwachsen zumindest einer ersten Halbleiterschicht der Halbleiterschichtenfolge auf einem Substrat; B) Aufbringen einer Ätzstoppschicht auf der ersten Halbleiterschicht; C) Aufwachsen zumindest einer weiteren Halbleiterschicht auf der in Schritt B) erhaltenen Schichtenfolge; D) Trennen der Halbleiterschichtenfolge vom Substrat, indem dem eine Trennzone der Halbleiterschichtenfolge zumindest teilweise entfernt wird; E) Ätzen der erhaltenen Trennfläche der Halbleiterschichtenfolge mittels eines Ätzmittels, so dass eine Mikrostrukturierung der ersten Halbleiterschicht erfolgt und die mikrostrukturierte Außenfläche gebildet wird.</p> |
申请公布号 |
WO2012049031(A1) |
申请公布日期 |
2012.04.19 |
申请号 |
WO2011EP67154 |
申请日期 |
2011.09.30 |
申请人 |
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH;HERTKORN, JOACHIM;TAKI, TETSUYA;OFF, JUERGEN |
发明人 |
HERTKORN, JOACHIM;TAKI, TETSUYA;OFF, JUERGEN |
分类号 |
H01L33/00;H01L33/16;H01L33/22 |
主分类号 |
H01L33/00 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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