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Halbleitervorrichtung mit einer Halbleiterschicht (2) eines ersten Leitungstyps mit einer ersten und einer zweiten Oberfläche, wobei diese Halbleiterschicht einen Basisbereich (3) eines zweiten Leitungstyps enthält, der in der ersten Oberfläche ausgebildet ist, sowie einen Emitterbereich (4) des ersten Leitungstyps, der in dem Basisbereich (3) ausgebildet ist, einer Pufferschicht (1) des ersten Leitungstyps, die auf der zweiten Oberfläche der Halbleiterschicht (2) ausgebildet ist, und einer Kollektorschicht (8) des zweiten Leitungstyps, die auf der Pufferschicht (1) ausgebildet ist; wobei die Halbleiterschicht (2) weiter einen Bereich kurzer Trägerlebensdauer (12) enthält, der darin ausgebildet und zwischen dem Basisbereich (3) und der Pufferschicht (1) angeordnet ist, wobei der Bereich kurzer Trägerlebensdauer (12) durch einen Abstand von ca. 30 μm oder weniger von der ersten Oberfläche der Halbleiterschicht (2) beabstandet ist und die Halbleitervorrichtung weiter eine Diode enthält, die über einen Draht in Serie zu der Kollektorschicht geschaltet ist. |
