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Halbleiterbauelement, das aufweist: einen Halbleiterkörper (100) mit einer ersten Seite (101) und einer zweiten Seite (102), eine Driftzone (12), eine komplementär zu der Driftzone (12) dotierte erste Halbleiterzone (13), die sich in Richtung der ersten Seite (101) an die Driftzone (12) anschließt und eine zweite Halbleiterzone (11) des gleichen Leitungstyps wie die Driftzone (12), die sich in Richtung der zweiten Seite (102) an die Driftzone (12) anschließt, wenigstens zwei in dem Halbleiterkörper (100) angeordnete Gräben (20), die sich ausgehend von der ersten Seite (101) in einer vertikalen Richtung bis in die Driftzone (12) in den Halbleiterkörper (100) hineinerstrecken und die in einer lateralen Richtung des Halbleiterkörpers (100) beabstandet zueinander angeordnet sind, eine Feldelektrode (22), die in den wenigstens zwei Gräben (20) benachbart zu der Driftzone angeordnet ist, wobei die wenigstens zwei Gräben (20) in der vertikalen Richtung beabstandet zu der zweiten Halbleiterzone (11) angeordnet sind... |
