摘要 |
Leistungsverstärker mit: einem verstärkenden Transistor (Tr2) zum Verstärken von RF-Signalen, dessen Basis mit einem Eingangsanschluß (IN) verbunden ist und dessen Kollektor mit einem Ausgangsanschluß (OUT) verbunden ist; einer Vorspannungsschaltung (B2) zum Liefern von Vorspannungsstrom zu der Basis des verstärkenden Transistors (Tr2); einer ersten Diode (Da1), deren Kathode mit dem Eingangsanschluß (IN) über einen ersten Kondensator (Ca1) verbunden ist; einer zweiten Diode (Da2), deren Anode mit dem Ausgangsanschluß (OUT) über einen zweiten Kondensator (Ca2) verbunden ist und mit einem ersten Leistungsanschluß (Vcc2) über ein erstes induktives Element (La1) verbunden ist; einer Anpassungsabschwächungsschaltung (MA), die zwischen die Anode der ersten Diode (Da1) und die Kathode der zweiten Diode (Da2) geschaltet ist, zum Reduzieren einer Impedanzfehlanpassung in der Seite des Eingangsanschlusses (IN) und der Seite des Ausgangsanschluss ersten Stromspiegelschaltung (CM1), die mit der Kathode der ersten Diode (Da1) über ein...
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