摘要 |
Verfahren zum Herstellen einer integrierten Schaltung, wobei das Verfahren folgendes aufweist: Anordnen mehrerer Zellen, um einen gewünschten Lageplan der integrierten Schaltung zu bilden, wobei jede Zelle mindestens einen Transistor aufweist; Bilden mehrerer Schaltungsbestandteile aus den mehreren Zellen des Lageplans, wobei jeder Schaltungsbestandteil mindestens eine Zelle aufweist und zu einem von mehreren Schaltungsbestandteiltypen gehört, wobei die mehreren Schaltungsbestandteiltypen einen ersten Teil von Schaltungsbestandteiltypen und einen zweiten Teil von Schaltungsbestandteiltypen aufweisen, wobei das Bilden der mehreren Schaltungsbestandteile das Bilden eines Taktverteilungs-Hardwarebestandteiles aufweist, wobei der Taktverteilungs-Hardwarebestandteil zu dem ersten Teil von Schaltungsbestandteiltypen gehört; und Selektives Anwenden von mechanischer Spannung auf Kanalregionen des mindestens einen Transistors jeder Zelle auf der Basis des Schaltungsbestandteiltyps des Schaltungsbestandteils, zu dem die Zelle gehört, wobei das Anwenden von mechanischer Spannung aufweist: Anwenden von mechanischer Spannung auf einem ersten Nivandteilen, die zu dem ersten Teil von Schaltungsbestandteiltypen...
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