| 摘要 |
Halbleiterbauelement, umfassend: eine Basisschicht (2), die aus einem n-leitenden Halbleitersubstrat (1) gebildet ist, dessen spezifischer Widerstand in seiner Dickenrichtung homogen ist; eine p-leitende Kanaldiffusionszone (3), eine n-leitende Emitterdiffusionszone (4), eine Emitterelektrode (5), einen Gate-Isolierfilm (6) und eine Gate-Elektrode (7), die an einer ersten Hauptfläche des Substrats gebildet sind; eine p-leitende Kollektorschicht (9) und eine Kollektorelektrode (10), die an der zweiten Hauptfläche des Substrats gebildet sind; und eine n-leitende Dotierstoffdiffusionsschicht (24), deren Dotierstoffkonzentration höher als die Dotierstoffkonzentration in der Basisschicht (2) ist und die zwischen der Kollektorschicht und der Basisschicht vorgesehen ist, wobei die durch |Xfs-Xj| definierte Dicke der Dotierstoffdiffusionsschicht (24) in einem Bereich von 0,5 μm bis 3 μm liegt, wobei Xfs die Stelle ist, an der die Dotierstoffkonzentration der Dotierstoffdiffusionsschicht das Doppelte der Dotierstoffkonzentration der Basisschicht beträgt, und Xj die Stelle des Zonenübergangs zwischen der Dotierstoffdiffusionsschicht (24) und der Kollektorschicht (9) ist,...
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