Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen mit einem Glassubstrat

摘要

Es wird ein Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen offenbart. Es wird ein Halbleiterwafer (10) mit einer ersten Oberfläche (11) und einer zweiten Oberfläche (12) gegenüber der ersten Oberfläche (11) bereitgestellt. Es wird ein erstes Glassubstrat (20) bereitgestellt, das Hohlräume (21) und/oder Öffnungen an einer Bondoberfläche (22) aufweist. Das erste Glassubstrat (20) wird derart an die erste Oberfläche (11) des Halbleiterwafer (10) gebondet, dass die Metallpads (14, 15) innerhalb jeweiliger Hohlräume (21) oder Öffnungen des ersten Glassubstrats (20) angeordnet werden. Die zweite Oberfläche (12) des Halbleiterwafer (10) wird maschinell bearbeitet. Mindestens ein Metallisierungsgebiet (17, 18, 19) wird auf der maschinell bearbeiteten zweiten Oberfläche (12) des Halbleiterwafer (10) ausgebildet.