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Verfahren mit den Schritten: Bilden von Drain- und Sourcegebieten (153b, 153d) eines N-Kanaltransistors (150n) durch Ausführen mindestens eines Implantationsprozesses (106, 108) zum Einführen eines Dotiermittels, wodurch Gitterschäden auftreten, auf der Grundlage einer Seitenwandabstandhalterstruktur (104), die an Seitenwänden einer Gateelektrode (152) gebildet ist, wobei die Seitenwandbstandshalterstruktur (104) eine Ätzstoppschicht (103) und mindestens ein Abstandshalterelement (104a, 104b) aufweist; Entfernen des mindestens einen Abstandshalterelements (104a, 104b) selektiv zu der Ätzstoppschicht (103); anschließendes Bilden einer Materialschicht (110) über dem N-Kanaltransistor (150n); und Ausführen eines Ausheizprozesses (111) in Anwesenheit der Materialschicht (110) aber dem N-Kanaltransistor (150n), um die durch den Implantationsprozess (106, 108) hervorgerufenen Gitterschäden zu rekristallisieren und so die Drain- und Sourcegebiete (153b, 153d) des N-Kanaltransistors (150n) in einem verformten Zustand zu rekristallisieren.
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