发明名称 Instalación y procedimiento de fabricación en continuo de barra de silicio multicristalino
摘要 Instalación de fabricación en continuo de una barra de silicio multicristalino en un crisol sustancialmente cilíndrico (2), siendo dicho crisol calentado en su parte alta por inducción de manera que la parte superior del silicio se funda, y estando asociado a unos medios (24) de realimentación de silicio, caracterizada porque comprende unos medios (30-37) para aspirar periódicamente una parte del silicio fundido.
申请公布号 ES2378980(T3) 申请公布日期 2012.04.19
申请号 ES20010410052T 申请日期 2001.05.11
申请人 EMIX 发明人 GARNIER, MARCEL;KANEKO, KYOJIRO;RIBEYRON, PIERRE-JEAN
分类号 C30B11/00;C30B28/06;C30B29/06 主分类号 C30B11/00
代理机构 代理人
主权项
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