发明名称 |
Instalación y procedimiento de fabricación en continuo de barra de silicio multicristalino |
摘要 |
Instalación de fabricación en continuo de una barra de silicio multicristalino en un crisol sustancialmente cilíndrico (2), siendo dicho crisol calentado en su parte alta por inducción de manera que la parte superior del silicio se funda, y estando asociado a unos medios (24) de realimentación de silicio, caracterizada porque comprende unos medios (30-37) para aspirar periódicamente una parte del silicio fundido.
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申请公布号 |
ES2378980(T3) |
申请公布日期 |
2012.04.19 |
申请号 |
ES20010410052T |
申请日期 |
2001.05.11 |
申请人 |
EMIX |
发明人 |
GARNIER, MARCEL;KANEKO, KYOJIRO;RIBEYRON, PIERRE-JEAN |
分类号 |
C30B11/00;C30B28/06;C30B29/06 |
主分类号 |
C30B11/00 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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