发明名称 Ein Verfahren zum Herstellen eines Verbundwafers mit einem Graphitkern und ein Verbundwafer mit einem Graphitkern
摘要 <p>Gemäß einer Ausführungsform enthält ein Verbundwafer ein Trägersubstrat mit einer Graphitschicht (236) und eine an dem Trägersubstrat angebrachte monokristalline Halbleiterschicht (220).</p>
申请公布号 DE102011054035(A1) 申请公布日期 2012.04.19
申请号 DE20111054035 申请日期 2011.09.29
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG 发明人 BERGER, RUDOLF;LEHNERT, WOLFGANG;MAUDER, ANTON;SCHULZE, HANS-JOACHIM;FOERG, RAIMUND;GRUBER, HERMANN;RUHL, GUENTHER;KELLERMANN, KARSTEN;SOMMER, MICHAEL;ROTTMAIR, CHRISTIAN;RUPP, ROLAND
分类号 H01L21/30;H01L21/265;H01L21/304;H01L21/306 主分类号 H01L21/30
代理机构 代理人
主权项
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