一种提高电容密度的结构及方法

摘要

本发明一般涉及半导体集成电路制造领域，更确切的说，本发明涉及一种提高电容密度的结构及方法。本发明提高电容密度的结构及其制造方法，在传统工艺的金属－绝缘层－金属(MIM)结构的电容基础上，通过继续增加绝缘层和金属层以增加电容密度，即采用电容的叠加，以形成并联的两个电容，从而大大增加了电容密度。

主权项

一种提高电容密度的结构，其特征在于，包括：一衬底，所述衬底上设置有衬底金属铜和下绝缘层；一下金属层设置在所述下绝缘层上，一中绝缘层设置在所述下金属层上，一中金属层设置在所述中绝缘层上，一上绝缘层设置在所述中金属层上，一上金属层设置在所述上绝缘层上；基底端子、第一端子、第二端子和第三端子分别通过互连线依次与基底金属铜、所述下金属层、所述中金属层和所述上金属层连接，基底端子和第三端子连接，第一端子和第二端子连接，形成并联电容。