MEMS热电堆红外探测器芯片

摘要

本实用新型涉及一种MEMS热电堆红外探测器芯片，包括内芯片和位于内芯片上的红外滤窗，内芯片含有衬底，衬底设有正面、背面及自正面凹陷形成的空气腔体，空气腔体未贯穿衬底的背面，正面设有支撑部和红外吸热层，红外吸热层位于支撑部和空气腔体内，其厚度大于支撑部且小于空气腔体，在支撑部上设有热电堆，衬底与红外吸热层分别形成热电堆的冷端与热端，热电堆包括由不同导电材料所制成的第一、第二导电层，第一、第二导电层通过其末端的第一、第二电极引出，所述第一、第二电极的顶部露出，热电堆是由与CMOS工艺相兼容的材料制成，该MEMS热电堆红外探测器芯片具有可制造性较高。

主权项

一种MEMS热电堆红外探测器芯片，其特征在于：所述MEMS热电堆红外探测器芯片包括内芯片（20a）和位于内芯片（20a）上的红外滤窗（20b），所述内芯片（20a）含有衬底（21），所述衬底（21）设有正面（221）、背面（212）及自正面（221）凹陷形成的空气腔体（25），所述空气腔体（25）未贯穿衬底（20a）的背面（212），所述衬底（21）正面（221）设有支撑部（23）和红外吸热层（24），所述红外吸热层（24）位于支撑部（23）和空气腔体（25）内，其厚度大于支撑部（23）且小于空气腔体（25），在所述支撑部（23）上设有热电堆（22），所述衬底（21）与红外吸热层（24）分别形成热电堆（22）的冷端与热端，所述热电堆（22）包括由不同导电材料所制成的第一、第二导电层（22b）、（22a），所述第一、第二导电层（22b）、（22a）通过其末端的第一、第二电极（331）、（332）引出，所述第一、第二电极（331）、（332）的顶部露出，所述热电堆（22）是由与CMOS工艺相兼容的材料制成。