发明名称 |
超低介电常数薄膜铜互连的制作方法 |
摘要 |
本发明涉及一种超低介电常数薄膜铜互连的制作方法,该种制作方法在超低介电常数薄膜上覆盖低介电常数保护膜,而后采用光刻、刻蚀,形成贯通低介电常数保护膜和超低介电常数薄膜的通孔和/或沟槽,在通孔和/或沟槽内溅射沉积金属势垒层和铜的籽晶层,采用电镀工艺进行铜填充淀积,形成铜的互连层。由于采用低介电常数保护膜,从而减少了多孔的超低介电常数薄膜在化学机械研磨中产生的缺陷,增强了低介电常数保护膜与下一步铜互连的刻蚀停止层的粘贴力,避免了在后续封装中的诱导应力引起热机械失效,同时改善了可靠性。 |
申请公布号 |
CN102420179A |
申请公布日期 |
2012.04.18 |
申请号 |
CN201110274496.8 |
申请日期 |
2011.09.15 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
陈玉文;黄晓橹;谢欣云 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
陆花 |
主权项 |
一种超低介电常数薄膜铜互连的制作方法,包括以下步骤:在硅片上沉积刻蚀停止层,在刻蚀停止层上沉积超低介电常数薄膜和低介电常数保护膜;采用光刻、刻蚀工艺,形成贯通低介电常数保护膜和超低介电常数薄膜的通孔和/或沟槽;在通孔和/或沟槽内溅射沉积金属势垒层和铜的籽晶层,采用电镀工艺进行铜填充淀积,化学机械研磨停止在低介电常数保护膜上,形成铜的互连层。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号 |