| 发明名称 | 串联FinFET的实施方法 | ||
| 摘要 | 一种器件，包括：第一半导体鳍；以及第二半导体鳍，平行于第一半导体鳍；直线型栅电极，位于第一半导体鳍和第二半导体鳍上方，并且分别与第一半导体鳍和第二半导体鳍形成第一鳍式场效晶体管(FinFET)和第二FinFET，其中，第一FinFET和第二FinFET的导电类型相同；以及第一电连接件，位于直线型栅电极的一侧，并且将第一FinFET的第一源极/漏极与第二FinFET的第一源极/漏极相连接，其中，第一FinFET的第二源极/漏极不与第二FinFET的第二源极/漏极相连接。本发明还提供了一种串联FinFET的实施方法。 | ||
| 申请公布号 | CN102420145A | 申请公布日期 | 2012.04.18 |
| 申请号 | CN201110208241.1 | 申请日期 | 2011.07.22 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 欧炯廷;张志强 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 陆鑫;高雪琴 |
| 主权项 | 一种器件，包括：第一半导体鳍；第二半导体鳍，平行于所述第一半导体鳍；直线型栅电极，位于所述第一半导体鳍和所述第二半导体鳍上方，并且分别与所述第一半导体鳍和所述第二半导体鳍形成第一鳍式场效晶体管(FinFET)和第二FinFET，其中，所述第一FinFET和所述第二FinFET的导电类型相同；以及第一电连接件，位于直线型栅电极的一侧并且将所述第一FinFET的第一源极/漏极与所述第二FinFET的第一源极/漏极相连接，其中，所述第一FinFET的第二源极/漏极不与所述第二FinFET的第二源极/漏极相连接。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||