发明名称 改良西门子法-HCL气体脱水纯化方法
摘要 本发明公开了一种改良西门子法-HCL气体脱水纯化方法,包括①系统吹扫、②HCL气体洗涤脱水、③四氯化硅循环、④四氯化硅回收;本方法克服了其它脱水方式的不足,充分利用了改良西门子法生产过程中的副产物:SiCL<sub>4</sub>,不会引入新的杂质,脱水效果好,能耗低;纯化后的HCL气体:含水<50ppm,每千克HCL中含SiCl<sub>4</sub><0.05kg。
申请公布号 CN102417163A 申请公布日期 2012.04.18
申请号 CN201110213010.X 申请日期 2011.07.28
申请人 四川瑞能硅材料有限公司 发明人 沈伟;曾维华
分类号 C01B7/07(2006.01)I 主分类号 C01B7/07(2006.01)I
代理机构 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 代理人 徐宏;吴彦峰
主权项 1.一种改良西门子法-HCL气体脱水纯化方法,其特征在于:包括以下步骤:①系统吹扫:开启吹扫氮气阀门(11),对HCL脱水装置进行吹扫,将系统内的空气排尽;②HCL气体洗涤脱水:使来自HCL合成工序、含有少量水汽的HCL气体从干燥塔塔底进气口进入干燥塔内的填料层(8),与从干燥塔顶部喷淋下来的四氯化硅逆流接触,HCL中的水汽与四氯化硅发生激烈化学反应,HCL中的水汽被吸收,从而使HCL中的水被脱除;③四氯化硅循环:四氯化硅被四氯化硅循环泵(2)泵出,先经过四氯化硅换热器(3)被冷却介质<img file="201110213010X100001DEST_PATH_IMAGE002.GIF" wi="8" he="21" />降温,再进入HCL干燥塔(1),经液体分布器(9)或喷淋器均匀分布到填料上,润湿填料表面,与HCL气体接触,干燥HCL,最后回到干燥塔塔底循环桶(12);④四氯化硅回收:出干燥塔塔顶、携带了部份四氯化硅蒸汽的HCL气体经过干燥塔塔顶冷却器,用冷却介质<img file="201110213010X100001DEST_PATH_IMAGE004.GIF" wi="13" he="21" />对其进行冷却,利用四氯化硅液化温度比HCL更高的原理,使HCL与四氯化硅分离,被液化分离的四氯化硅经管道返回干燥塔塔底循环桶(12)。
地址 620041 四川省眉山市修文镇铝硅产业园