发明名称 有机基电致变色复合膜的制备方法
摘要 本发明公开了一种有机基电致变色复合膜的制备方法,所制备有机薄膜为苯胺/邻苯二胺薄膜,无机掺杂物选用WO3,以非密堆胶体晶体为模板,将有机薄膜填充于胶体晶体间隙处,除去SiO2胶体晶体模板后,将其浸入所配制的氧化钨的湿凝胶中,经干燥、煅烧后即获得有机基电致变色复合膜材料。
申请公布号 CN102417607A 申请公布日期 2012.04.18
申请号 CN201110242764.8 申请日期 2011.08.23
申请人 陕西科技大学 发明人 伍媛婷;王秀峰
分类号 C08J9/40(2006.01)I;C08J9/26(2006.01)I;C08J5/18(2006.01)I;C08L79/02(2006.01)I;C08K3/24(2006.01)I;C08G73/02(2006.01)I;C08K3/36(2006.01)I;C09K9/02(2006.01)I;C09K9/00(2006.01)I 主分类号 C08J9/40(2006.01)I
代理机构 西安智大知识产权代理事务所 61215 代理人 刘国智
主权项 有机基电致变色复合膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:第一步,制备SiO2亚微米球;第二步,将所制备的亚微米SiO2球体颗粒超声分散于溶剂中,其中SiO2球体颗粒的质量分数为1%~2%,超声2~3h获得悬浮液;第三步,将基底垂直浸入已放置平稳的SiO2悬浮液中,在抽真空中40℃、60%相对湿度下静置,待溶液完全蒸发后,在基底表面生长出一层SiO2胶体晶体;第四步,将SiO2胶体晶体在500~700℃下煅烧4~6h得到双尺寸SiO2胶体晶体,将双尺寸SiO2胶体晶体浸入质量浓度为1%~2%的HF酸溶液中刻蚀10~15min,用去离子水中清洗除去多余的HF酸溶液,在50~60℃下烘干即获得非密堆SiO2胶体晶体;第五步,将非密堆SiO2胶体晶体浸入含有苯胺与邻苯二胺的盐酸溶液中,盐酸溶液中苯胺浓度为0.2~0.3mol/L,苯胺与邻苯二胺摩尔比为1∶1~0.8,再加入过硫酸胺,使盐酸溶液中过硫酸胺的浓度为0.2~0.25mol/L,30~80℃反应2~24h,提拉成膜,用滤纸吸取表面过剩的有机物,常温干燥后将其浸入质量浓度为2%~3%的氢氟酸溶液中12~24h以去除SiO2模板,清洗干燥后即获得有机膜;第六步,将浓度为0.8~1.5mol/L的钨酸钠溶液通过装有强酸型苯乙烯系阳离子交换树脂的交换柱,流出液中加入无水乙醇和质量分数为0.1%的聚乙烯醇溶液得到混合液,其中V钨酸钠溶液∶V无水乙醇∶V聚乙烯醇溶液=4~5∶8~10∶1,将第五步得到的有机膜垂直浸入该混合液中静置5~10min后取出,室温晾干,再经70~80℃热处理2h即获得有机基电致变色复合膜,其中:V钨酸钠溶液表示钨酸钠溶液的体积,V无水乙醇表示无水乙醇的体积,V聚乙烯醇溶液表示聚乙烯醇溶液的体积。
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