形状记忆装置

摘要

具有双稳态位置的纳米机械装置，用于形成开关和存储器装置。所述装置可驱动至不同的位置，可连接到不同配置中的晶体管装置，以提供存储器装置。驱动机制包括静电方法和加热。在一个形式中，所述机械装置形成场效应晶体管的栅极，参见图2A。在另一形式中，所述装置可以是开关，开关可以不同的方式连接晶体管，当导通和断开时影响其电子特性。在一个实施例中，所述存储器开关包括用可拉长的或可压缩的膜形成，参见图5B。交叉点开关由多个交叉的导电的导体的列和行形成，参见图11A。可驱动开关位于列和行的各个交叉点之间，使得各个交叉点可单独地访问。基于侧壁的开关可连接晶体管的浮栅(823)，参见图8B。

主权项

一种存储器装置，包括：晶体管，具有栅极、漏极和源极；以及双稳态纳米尺度结构，连接至所述晶体管，其中所述双稳态纳米尺度结构具有两个稳态位置，这两个稳态位置使所述晶体管具有不同的阈值电压，以便对所述晶体管的导电性具有不同的影响。