第Ⅲ族氮化物基化合物半导体器件

摘要

一种第III族氮化物基化合物半导体器件，其中在除了Ga-极性C-面的表面上形成负电极。在第III族氮化物基化合物半导体发光器件中，在R-面蓝宝石衬底上形成n-接触层、用于改善静电击穿电压的层、由具有十个堆叠的未掺杂In0.1Ga0.9N层、未掺杂GaN层以及硅(Si)掺杂GaN层的组的多层结构制成的n-覆盖层、由交替堆叠的In0.25Ga0.75N阱层和GaN势垒层的组合制成的多量子阱(MQW)发光层、由包括p-型Al0.3Ga0.7N层和p-In0.08Ga0.92N层的多层结构制成的p-覆盖层、和由包括具有不同镁浓度的两个p-GaN层的堆叠结构制成的p-接触层(厚度：约80nm)。通过蚀刻，为具有沿c-轴的厚度方向的n-接触层提供条纹图案化微沟，每个微沟具有表现C-面的侧壁，由此在负电极和每个C-面侧壁之间建立欧姆接触。

主权项

一种第III族氮化物基化合物半导体器件，其通过外延生长第III族氮化物基化合物半导体制造并具有提供有负电极的n‑型区域；其中所述n‑型区域由通过外延生长形成的n‑型第III族氮化物基化合物半导体层的表面限定，所述表面表现A‑面或M‑面作为其主面，且具有至少一个其为第III族元素极性C‑面的接触表面，所述接触表面通过蚀刻所述n‑型区域的所述表面形成，且所述负电极与所述接触表面接触。