发明名称 通孔形成方法
摘要 一种通孔形成方法,包括,经由第一管路和第二管路向反应腔室分别通入经由流量控制器控制的第一气体和第二气体,在基底上形成层间介质层;图形化所述层间介质层,形成接触孔;清洗所述接触孔,形成通孔;特别地,在通入所述第一气体和第二气体之前,至少预清洗所述第一管路和第二管路内由所述流量控制器至所述反应腔室间的管路。可在符合产品要求的图形化工艺条件下减少经历清洗操作后形成的通孔底角凹陷。
申请公布号 CN101593724B 申请公布日期 2012.04.18
申请号 CN200810113995.7 申请日期 2008.05.30
申请人 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 发明人 郑春生;胡亚威;张文广
分类号 H01L21/768(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I 主分类号 H01L21/768(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 李丽
主权项 一种通孔形成方法,包括,经由第一管路和第二管路向反应腔室分别通入经由流量控制器控制的第一气体和第二气体,在基底上形成层间介质层;图形化所述层间介质层,形成接触孔;清洗所述接触孔,形成通孔;其特征在于:在通入所述第一气体和第二气体之前,至少预清洗所述第一管路和第二管路内由所述流量控制器至所述反应腔室间的管路,以清除位于所述第二管路和反应腔室之间的流量控制器内由于进气阀阀和出气阀磨损程度不同而残留的第二气体,从而避免在形成所述层间介质层的初始阶段,所述残留的第二气体在所述反应腔室内提供的第二气体浓度高于形成所述层间介质层时需要的第二气体浓度,致使在初始阶段形成的所述层间介质层内经由所述第二气体提供的元素的含量过高,导致在初始阶段形成的所述层间介质层的材质异于其后形成的所述层间介质层的材质。
地址 100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道18号