| 发明名称 | 垂直NPN晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种垂直NPN晶体管及其制造方法。其中垂直NPN晶体管的制造方法，包括：提供半导体衬底；向半导体衬底注入离子且扩散，形成N型埋层区域；在N型埋层区域上形成第一N型外延层，作为集电极；在第一N型外延层上形成P型外延层，作为基极；在P型外延层上形成氧化层；刻蚀氧化层至露出P型外延层，形成发射极开口；向发射极开口内填充满第二N型外延层，作为发射极。本发明消除了发射极电流集边效应。 | ||
| 申请公布号 | CN102087977B | 申请公布日期 | 2012.04.18 |
| 申请号 | CN200910252939.6 | 申请日期 | 2009.12.04 |
| 申请人 | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 | 发明人 | 王乐;桂林春;祝孔维;赵志勇 |
| 分类号 | H01L21/331(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/732(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/331(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种垂直NPN晶体管的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；向半导体衬底注入离子且扩散，形成N型埋层区域；在N型埋层区域上形成第一N型外延层，作为集电极；在第一N型外延层上形成P型外延层，作为基极；在P型外延层上形成氧化层；刻蚀氧化层至露出P型外延层，形成发射极开口；向发射极开口内填充满第二N型外延层，作为发射极。 | ||
| 地址 | 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 | ||