发明名称 薄膜硅光伏器件及其制造方法和背电极以及光伏组件
摘要 本发明公开了一种薄膜硅光伏器件及其制造方法和背电极以及光伏组件。所述薄膜硅光伏器件具有层状结构,该层状结构依次包括:基板;透明导电的前电极;一个或多个p-i-n型光伏单元,每个p-i-n型光伏单元由基于氢化硅的p型、本征i型和n型半导体薄膜组成;背电极,该背电极包含依次重叠的银膜、镍膜和铝膜,所述银膜位于所述背电极的、与所述p-i-n型光伏单元相邻的一侧,并且所述镍膜由镍或镍含量高于60%的镍合金制成。根据本发明的由银、镍、铝制成的全金属型背电极具有反射率高、导电性好、不易短路、稳定性强、且便于以低成本生产大面积光伏模板等优点。
申请公布号 CN101556977B 申请公布日期 2012.04.18
申请号 CN200810091632.8 申请日期 2008.04.11
申请人 福建钧石能源有限公司;北京精诚铂阳光电设备有限公司 发明人 李沅民;杨与胜
分类号 H01L31/075(2012.01)I;H01L31/052(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I 主分类号 H01L31/075(2012.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 黄小临;吕晓章
主权项 一种薄膜硅光伏器件,其具有层状结构,该层状结构依次包括:基板;透明导电的前电极;一个或多个p‑i‑n型光伏单元,每个p‑i‑n型光伏单元由基于氢化硅的p型、本征i型和n型半导体薄膜组成;背电极,其特征在于,所述背电极包含依次重叠的银膜、镍膜和铝膜,所述银膜位于所述背电极的、与所述p‑i‑n型光伏单元相邻的一侧,并且所述镍膜由镍或镍含量高于60%的镍合金制成。
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