发明名称 薄膜体声波谐振器
摘要 本发明提供了薄膜体声波谐振器和滤波器。该薄膜体声波谐振器包括:下电极,其形成在基板的空腔上或以在该下电极和所述基板之间形成空腔的方式形成;压电薄膜,其形成在所述下电极上;上电极,其形成在所述压电薄膜上以获得隔着所述压电薄膜与所述下电极相对的谐振区;支撑区,其设置在所述谐振区的周围,该支撑区的宽度为沿横向传播的波的波长的0.35倍到0.65倍,并透射所述波;以及相邻区,其设置在所述支撑区的周围并阻挡所述波。
申请公布号 CN101207370B 申请公布日期 2012.04.18
申请号 CN200710198855.X 申请日期 2007.12.14
申请人 太阳诱电株式会社 发明人 原基扬;西原时弘;上田政则;远藤刚
分类号 H03H9/15(2006.01)I;H03H9/54(2006.01)I 主分类号 H03H9/15(2006.01)I
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人 孙海龙
主权项 一种薄膜体声波谐振器,该薄膜体声波谐振器包括:下电极,其形成在基板的空腔上或以在该下电极和所述基板之间形成空腔的方式形成;压电薄膜,其形成在所述下电极上;上电极,其形成在所述压电薄膜上以获得隔着所述压电薄膜与所述下电极相对的谐振区;支撑区,其设置在所述谐振区的周围,该支撑区的宽度为沿横向传播的波的波长的0.35倍到0.65倍,并由所述空腔上的下电极和压电薄膜组成;以及相邻区,其设置在所述支撑区的周围并且由所述基板、下电极和压电薄膜组成,其中,所述下电极暴露于所述空腔。
地址 日本东京都
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