发明名称 | 一种GaAs HBT双边沿触发流水线累加器 | ||
摘要 | 本发明公开了一种GaAs HBT双边沿触发流水线累加器,该累加器为一由N级1-bit全加器并行构成的流水线结构,N为大于2的自然数,每一级1-bit全加器完成累加运算之后向外部输出累加之和,并且向下一级1-bit全加器输出进位信号。利用本发明,在每个时钟周期内可以进行两次累加运算,从而实际上将累加器的速度提升为时钟频率两倍,大幅提升了累加器的速度。 | ||
申请公布号 | CN101996064B | 申请公布日期 | 2012.04.18 |
申请号 | CN200910091373.3 | 申请日期 | 2009.08.19 |
申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 刘新宇;陈高鹏;吴旦昱;金智;武锦 |
分类号 | G06F7/501(2006.01)I | 主分类号 | G06F7/501(2006.01)I |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 周国城 |
主权项 | 一种GaAs HBT双边沿触发流水线累加器,其特征在于,该累加器为一由N级1‑bit全加器并行构成的流水线结构,N为大于2的自然数,每一级1‑bit全加器完成累加运算之后向外部输出累加之和,并且向下一级1‑bit全加器输出进位信号;其中,所述每一级1‑bit全加器都是双边沿触发结构,在一个时钟周期内完成两次1‑bit全加运算,两次全加运算的结果分别为上升沿触发和下降沿触发,分为两路输出;所述每一级1‑bit全加器的两路输出信号都经过不同数目级数的寄存器延迟,第k级1‑bit全加器(k∈[0,N‑1])的两路输出信号经过(N‑k‑1)级寄存器延迟,且最高位的第N级1‑bit全加器的两路输出信号无需寄存器对其进行延迟。 | ||
地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 |