发明名称 | 双重金属镶嵌结构的制造方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种双重金属镶嵌结构的制造方法。此方法是在已形成导体层与衬层的基底上依序形成介电层与金属硬掩模层,并将其图案化形成裸露出衬层的介电层窗开口。接着,在介电层窗开口中填入沟填材料层,其高度介于介电层窗开口的深度的1/4至1/2之间。之后,在金属硬掩模层与介电层中形成沟槽。然后,移除沟填材料层,再以金属硬掩模层为掩模,蚀刻去除介电层窗开口所裸露的衬层。其后于介电层窗开口与沟槽中形成金属层,再去除金属硬掩模层。 | ||
申请公布号 | CN101308808B | 申请公布日期 | 2012.04.18 |
申请号 | CN200710102569.9 | 申请日期 | 2007.05.16 |
申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 张光晔;马宏 |
分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陶凤波 |
主权项 | 一种双重金属镶嵌结构的制造方法,包括:提供基底,该基底上已形成导体层,且该导体层上已覆盖有衬层;在该衬层上形成介电层;在该介电层上形成金属硬掩模层;图案化该金属硬掩模层与该介电层,以在该介电层中形成介电层窗开口,裸露出该衬层;在该介电层窗开口中填入沟填材料层,该沟填材料层的高度是该介电层窗开口的高度的1/4至1/2;图案化该金属硬掩模层与该介电层,以形成沟槽,该沟槽与该介电层窗开口连通;移除该沟填材料层;以该金属硬掩模层为掩模,蚀刻去除该介电层窗开口所裸露的该衬层;在该介电层窗开口以及该沟槽中形成金属层;以及去除该金属硬掩模层。 | ||
地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 |