一种具有电流阻挡层的LED芯片

摘要

本实用新型公开了一种具有新型电流阻挡层的LED芯片，其特征在于包括：生长衬底；N-GaN层、发光层和P-GaN层，依次形成于生长衬底上；透明导电层，形成于P-GaN层上；P电极欧姆接触层，形成于透明导电层上；N电极欧姆接触层，形成于暴露的N-GaN层上；呈树枝状或网格点状的电流阻挡层，形成于P电极欧姆接触层的下方但不局限于正下方，且介于P电极欧姆接触层与P-GaN层之间。本实用新型具有优化电流扩散能力，同时提高LED芯片的散热能力、寿命及可靠性等优点。

主权项

一种具有电流阻挡层的LED芯片，其特征在于包括：生长衬底；N‑GaN层、发光层和P‑GaN层，依次形成于蓝宝石基板上；透明导电层，形成于P‑GaN层上；P电极欧姆接触层，形成于透明导电层上；N电极欧姆接触层，形成于暴露的N‑GaN层上；电流阻挡层，介于P电极欧姆接触层与P‑GaN层之间，呈树枝状或网格点状。