一种用于光伏型碲镉汞探测器的延展电极及制备方法

摘要

本发明公开了一种用于光伏型碲镉汞探测器的延展电极及制备方法。本发明中的电极为一种延展电极，该电极将pn结注入区的电极延展至非注入区的复合钝化层表面。该方法采用负性光致抗蚀剂光刻后获得顶部大底部小的光刻胶台面，利用薄膜生长时光刻胶台面的图形阴影效应，在碲镉汞芯片pn结注入区周围生长一层厚度缓变的复合钝化层，然后生长一层电极，将电极延伸至远离pn结注入区位置。采用本发明中的方法制备的电极可以保证pn结注入区内的电极与复合钝化层表面电极的电学连通性达到100％，同时将用于倒焊互连的铟柱制备在电极的延伸处，远离pn结注入区位置，保证倒焊互连时的压力承受点远离pn结，提高器件性能。

主权项

一种用于光伏型碲镉汞红外探测器的延展电极，其特征在于：该电极从芯片注入区延展至非注入区，电极与非注入区表面之间有钝化层将电极与非注入区表面隔离，所述的钝化层为100nm厚的CdTe和200nm厚的ZnS的复合钝化层。