发明名称 |
一种超厚顶层金属的双大马士革工艺制作方法 |
摘要 |
本发明一般涉及半导体制造领域中的一种双大马士革工艺制作方法,更确切的说,本发明涉及一种超厚顶层金属的双大马士革工艺制作方法。本发明超厚顶层金属的双大马士革工艺制作方法,通过在通孔上采用高刻蚀选择比介电材料作硬掩模,沟槽上采用金属硬掩模,进行分步刻蚀,解决了通孔刻蚀高深宽比和通孔尺寸控制问题,并可降低生产成本,缩短生产周期。 |
申请公布号 |
CN102420177A |
申请公布日期 |
2012.04.18 |
申请号 |
CN201110160353.4 |
申请日期 |
2011.06.15 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
胡友存;李磊;姬峰;张亮;陈玉文 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 |
上海新天专利代理有限公司 31213 |
代理人 |
王敏杰 |
主权项 |
一种超厚顶层金属的双大马士革工艺制作方法,其特征在于,包括以下步骤:于一硅片上依次淀积介电阻挡层、第一介电层和介电硬掩膜,刻蚀所述介电硬掩膜,形成通孔形介电硬掩膜开口;依次淀积第二介电层和金属硬掩膜于所述第一介电层上,刻蚀所述金属硬掩膜,形成沟槽形金属硬掩膜开口;以金属硬掩膜为掩膜刻蚀所述第二介电层,形成沟槽;以介电硬掩膜为掩膜刻蚀所述第一层介电层和所述介电阻挡层,形成通孔;依次淀积金属阻挡层和铜籽晶层,电镀铜以填满所述通孔和所述沟槽;最后采用化学机械研磨工艺进行平坦化处理。 |
地址 |
201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 |