| 发明名称 | 一种刻蚀腔体清除记忆效应的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种刻蚀腔体清除记忆效应的方法，其中，具体步骤包括：利用含氟和氧气的等离子体与腔壁上的无机聚合物反应将其清除；利用低功率零偏压源氮气或者氦气清除残留的氟，同时用其消除顶部介电层窗口热量累计而造成的温度上升的工艺影响；利用含氧气的等离子体与腔壁上的有机聚合物反应将其清除。本发明的优点在于既能清除刻蚀腔壁聚合物对后续工艺的影响，同时，对由温度变化而引起的工艺漂移效果明显。 | ||
| 申请公布号 | CN102420100A | 申请公布日期 | 2012.04.18 |
| 申请号 | CN201110133612.4 | 申请日期 | 2011.05.23 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 李全波;杨渝书;陈玉文 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人 | 王敏杰 |
| 主权项 | 一种刻蚀腔体清除记忆效应的方法，其特征在于，具体步骤包括：利用含氟和氧气的等离子体与腔壁上的无机聚合物反应将其清除；利用低功率零偏压源下的惰性气体清除残留的氟，同时用其消除顶部介电层窗口热量累积而造成的工艺影响；利用含氧气的等离子体与腔壁上的有机聚合物反应将其清除。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 | ||