| 发明名称 | 表面波等离子体CVD设备以及成膜方法 | ||
| 摘要 | 一种表面波等离子体CVD设备，其包括：波导(3)，其连接到微波源(2)并且形成有多个槽孔天线(S)；电介质构件(4)，其将从多个槽孔天线(S)发出的微波导入到等离子体处理室(1)中以产生表面波等离子体；移动装置(6)，其以使基板状的成膜对象(11)经过面对电介质构件(4)的成膜处理区域的方式使成膜对象往复运动；以及控制装置(20)，其根据成膜条件通过移动装置(6)控制成膜对象(11)的往复移动以在成膜对象上进行成膜。 | ||
| 申请公布号 | CN102421938A | 申请公布日期 | 2012.04.18 |
| 申请号 | CN200980159304.X | 申请日期 | 2009.05.15 |
| 申请人 | 株式会社岛津制作所 | 发明人 | 铃木正康 |
| 分类号 | C23C16/511(2006.01)I;H01L21/318(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/511(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;张会华 |
| 主权项 | 一种表面波等离子体CVD设备，其包括：波导，其形成有多个槽孔天线并且连接到微波源；电介质构件，其将从所述多个槽孔天线发出的微波导入到等离子体处理室中以产生表面波等离子体；移动装置，其以使基板状的成膜对象经过面对所述电介质构件的成膜处理区域的方式使所述成膜对象往复运动；以及控制装置，其根据成膜条件通过所述移动装置控制所述成膜对象的往复运动以在所述成膜对象上进行成膜。 | ||
| 地址 | 日本京都府 | ||