激光加工方法及半导体芯片

摘要

在具备基板(14)、和形成在基板(14)的表面的多个功能元件(15)的加工对象物(1)的基板(4)内部，对准聚光点(P)并照射激光(L)，而对于1条切断预定线(5)，形成至少1列分割改质区域(72)，位于分割改质区域(72)和基板(4)的表面(3)之间的至少1列的品质改质区域(71)，及位于分割改质区域(72)和基板(4)的背面(21)之间的至少1列的HC改质区域(73)。此时，在沿着切断预定线的方向上，分割改质区域(72)的形成密度，比品质改质区域(71)的形成密度及HC改质区域(73)的形成密度低。

主权项

一种激光加工方法，在具有基板、和形成在所述基板的表面上的多个功能元件的加工对象物的所述基板的内部对准聚光点，并照射激光，而沿着所述加工对象物的切断预定线，在所述基板的内部形成成为切断起点的改质区域，其特征在于：包括，对于1条所述切断预定线形成，至少1列第1改质区域，位于所述第1改质区域和所述基板的表面之间的至少1列第2改质区域，及位于所述第1改质区域和所述基板的背面之间的至少1列第3改质区域的工序；在沿着所述切断预定线的方向上的所述第1改质区域的形成密度，低于在沿着所述切断预定线的方向上的所述第2改质区域的形成密度和所述第3改质区域的形成密度。