在半导体器件中制造垂直沟道晶体管的方法

摘要

本发明涉及一种在半导体器件中制造垂直沟道晶体管的方法，其包括：在衬底上形成牺牲层；在牺牲层中形成接触孔；形成柱状物以填充接触孔。柱状物横向延伸直至牺牲层的表面，接着移除牺牲层。该方法还包括在柱状物的暴露的侧壁上形成栅极介电层，和在栅极介电层上形成栅电极。栅电极环绕柱状物的侧壁。

主权项

一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底上形成牺牲层；在所述牺牲层中形成接触孔；形成柱状物，所述柱状物填充所述接触孔并且在所述牺牲层的顶表面上延伸；移除所述牺牲层；在所述柱状物的暴露的侧壁和所述衬底的暴露部分上形成栅极介电层；和在所述栅极介电层上形成栅电极，其中所述栅电极环绕形成在所述柱状物的暴露侧壁上的所述栅极介电层的一部分。