发明名称 |
存储器装置中的多电平编程检验 |
摘要 |
本发明揭示用于多电平编程检验的方法、存储器装置及存储器系统。在此一种方法中,将一系列编程脉冲施加到待编程的存储器单元。在每一编程脉冲之后将处于初始编程检验电压的编程检验脉冲施加到所述存储器单元。所述初始编程检验电压为已增加快速电荷损失电压的检验电压。在编程脉冲已达到某一参考电压或编程脉冲的数量已达到脉冲计数阈值之后从所述初始编程检验电压中减去所述快速电荷损失电压。 |
申请公布号 |
CN102422362A |
申请公布日期 |
2012.04.18 |
申请号 |
CN201080019967.4 |
申请日期 |
2010.04.22 |
申请人 |
美光科技公司 |
发明人 |
金泰勋;何德平;杰弗里·艾伦·克赛尼希 |
分类号 |
G11C16/34(2006.01)I;G11C16/10(2006.01)I;G11C16/12(2006.01)I;G11C16/30(2006.01)I |
主分类号 |
G11C16/34(2006.01)I |
代理机构 |
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 |
代理人 |
宋献涛 |
主权项 |
一种用于存储器装置中的多电平编程检验的方法,所述方法包含:将多个编程脉冲施加到选定存储器单元;及在每一编程脉冲之后执行编程检验,其中所述编程检验的电压响应于相关联编程脉冲的编程电压而改变。 |
地址 |
美国爱达荷州 |