发明名称 具有非接合半导体特性靶的溅射阴极
摘要 本发明名称为“具有非接合半导体特性靶的溅射阴极”。一般地提供了溅射阴极(10)。溅射阴极(10)可包括定义溅射表面(14)和对着溅射表面(14)的背表面(16)的半导体特性靶(12)(例如,硫化镉靶、氧化镉锡靶等)。背板(18)可放置成面向靶(12)的背表面(16)并且不接合到靶(12)的背表面(16)。非接合附连机制可将靶(12)可拆卸地保持在溅射阴极(10)之内,以使得背表面(16)在溅射期间面向背板(18)。
申请公布号 CN102420092A 申请公布日期 2012.04.18
申请号 CN201110306609.8 申请日期 2011.09.27
申请人 初星太阳能公司 发明人 S·D·费尔德曼-皮博迪;R·D·戈斯曼;R·W·布莱克;P·L·奥基夫
分类号 H01J37/34(2006.01)I;H01J37/04(2006.01)I 主分类号 H01J37/34(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 柯广华;朱海煜
主权项 一种溅射阴极(10),包括:定义溅射表面(14)和背表面(16)的可拆卸靶(12),其中,所述背表面(16)对着所述溅射表面(12),并且其中,所述靶(12)包含半导体特性材料;背板(18),放置成面向所述靶(12)的所述背表面(16)并且不接合到所述靶(12)的所述背表面(16);以及非接合附连机制,可拆卸地将所述可拆卸靶(12)保持在所述溅射阴极(10)之内,以使得所述背表面(16)在溅射期间面向所述背板(18)。
地址 美国科罗拉多州