具有降低击穿电压的低电压瞬态电压抑制器

摘要

一种半导体结型器件，包括低电阻率半导体材料的衬底202，所述衬底具有预先选择的极性。锥形凹进部210延伸到衬底202中，并且随着从衬底202的上表面向下延伸而向内逐渐变细。半导体层(N+POLY)设置在凹进部210内，并且延伸到衬底202的上表面之上。半导体层(N+POLY)具有与衬底202的极性相反的极性。金属层212在半导体层(N+POLY)上。

主权项

一种半导体结型器件，包括：具有预先选择的极性的低电阻率半导体材料的衬底；锥形凹进部，其延伸到所述衬底中，并且所述锥形凹进部随着从所述衬底的上表面向下延伸而向内逐渐变细，其中，所述锥形凹进部是V型凹槽；半导体层，其设置在所述凹进部内并且在所述衬底的上表面之上延伸，所述半导体层具有与所述衬底的极性相反的极性，其中，所述半导体层如下形成：首先沉积未掺杂的多晶硅层，在所述多晶硅层中注入具有与所述衬底的极性相反的极性的掺杂剂，以及使用退火工艺将所述掺杂剂扩散到所述衬底中，从而使得所述锥形凹进部的底部顶尖处的电场增强以降低所述器件的击穿电压，并且其中所述半导体层覆盖氧化物层，所述氧化物层是用于形成掩模以产生所述锥形凹进部；以及金属层，其覆盖在所述半导体层上。